ИЗУЧЕНИЕ ВЛИЯНИЯ ГЛУБОКИХ ЦЕНТРОВ Р – N – ПЕРЕХОДА СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИХ ДИОДОВ В ПРОЦЕССЕ ДЕГРАДАЦИИ

В статье представлены результаты изучения изменений спектра глубоких уровней (ям) в запрещенной зоне полупроводниковых соединений в процессе деградации. Светоизлучающие диоды (СД) широко применяются в оптоэлектронике. В связи с этим изучение процесса деградации СД, то есть изменения их параметров в процессе эксплуатации, является актуальной задачей с точки зрения определения физической природы элементарных процессов и механизмов, вызывающих их, а также повышения надежности устройств. В работе представлены результаты исследования процесса деградации светодиодов на основе гетероструктур, полученных методом жидкофазной эпитаксии. При изучении явления деградации в диапазоне температур 77-300 0К наряду с изучением спектров электролюминесценции, вольт-фарадных и вольт-амперных характеристик классическими методами были использованы современные высокоинформативные методы.