ИЗУЧЕНИЕ ВЛИЯНИЯ ГЛУБОКИХ ЦЕНТРОВ Р – N – ПЕРЕХОДА СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИХ ДИОДОВ В ПРОЦЕССЕ ДЕГРАДАЦИИ
В статье представлены результаты изучения изменений спектра глубоких уровней (ям) в запрещенной зоне полупроводниковых соединений в процессе деградации. Светоизлучающие диоды (СД) широко применяются в оптоэлектронике.... Read More